扩展缺陷对用于电子泵浦紫外发射器的AlGaN量子点的影响
应用物理
2024-04-25 v1 材料科学
摘要
我们研究了在230-300 nm光谱范围内显示出高内量子效率（约50%）的AlGaN/AlN量子点超晶格中双峰发射的起源。较长波长处的次级发射与始于第一层AlN缓冲层/超晶格界面并垂直传播的锥状缺陷的存在有关。这些缺陷与产生强剪切应变并促使形成30°刻面凹坑的位错相关。锥状结构在边界刻面处呈现Ga富集，且缺陷内含有更大的量子点。双峰性归因于缺陷内及缺陷边界处不同的量子点尺寸/组分，这通过显微结果与Schrödinger-Poisson计算的关联得到证实。
引用
@article{arxiv.2310.04201,
title = {Effect of extended defects on AlGaN QDs for electron-pumped UV-emitters},
author = {Jesus Cañas and Névine Rochat and Adeline Grenier and Audrey Jannaud and Zineb Saghi and Jean-Luc Rouviere and Edith Bellet-Amalric and Anjali Harikumar and Catherine Bougerol and Lorenzo Rigutti and Eva Monroy},
journal= {arXiv preprint arXiv:2310.04201},
year = {2024}
}