GaN/AlN 量子点自发辐射向银表面等离激元的耦合
材料科学
2009-11-10 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们利用 AlN/GaN 量子点（QD）展示了在 ~ 375-380 nm 紫外波段内由表面等离激元诱导的自发辐射速率变化。通过时间分辨和连续光致发光测量，表明当自发辐射与金属表面等离激元模式共振耦合时，AlN/GaN QD 中的复合速率得到增强。观察到经由 Ag 表面等离激元模式的激子复合过程比正常 QD 自发辐射快 3-7 倍，并且强烈依赖于发射波长和银层厚度。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0409089,
title = {Coupling of spontaneous emission from GaN/AlN quantum dots into silver surface plasmons},
author = {Arup Neogi and Hadis Morkoc and Takamasa Kuroda and Atsushi Tackeuchi},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0409089},
year = {2009}
}
备注
11 pages, 4 figures