等离子体辅助抑制裸 CdTe 量子点表面陷阱态并增强带边发射
介观与纳米尺度物理
2021-07-13 v2 材料科学
光学
摘要
胶体量子点已成为一种多功能的光发光与光电子材料。诸如荧光闪烁、非辐射俄歇复合和表面陷阱等限制通常通过生长宽带隙壳层来解决。然而，壳层隔离了激子波函数并削弱其与外部环境的相互作用，而该相互作用对于不同应用是必要的。此外，其较长的发射寿命阻碍了它们在高速光电子学中的使用。在此，我们展示了仅通过等离子体耦合对裸核 CdTe 量子点光物理的高度控制，表明来自富含陷阱量子点超过 99% 的表面缺陷态发射可被淬灭。而且，带边态激子和双激子发射速率分别被珀塞尔增强 1460 倍和 613 倍。我们的发现展示了裸量子点上的等离子体耦合如何能使为改善其光学性质而开发的化学方法变得不必要，对纳米激光器、发光器件、太阳能电池和超快单光子源具有意义。
引用
@article{arxiv.1903.03572,
title = {Plasmon-Assisted Suppression of Surface Trap States and Enhanced Band-Edge Emission in a Bare CdTe Quantum Dot},
author = {Assegid M. Flatae and Francesco Tantussi and Gabriele C. Messina and Francesco De Angelis and Mario Agio},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.03572},
year = {2021}
}