掺杂和铟组分对长波长III族氮化物量子点增益的影响
材料科学
2016-02-05 v1
摘要
在这项工作中，我们计算了长波长III族氮化物InN和AlInN量子点(QD)结构的材料增益。应变和量子点不均匀性被包含在计算中。研究覆盖了光通信中重要的(800-2300 nm)波长范围。虽然表明p型掺杂能有效地提高增益，但改变量子点尺寸（尤其是量子点半径）能更有效地改变波长。结果预测n型掺杂量子点结构在宽带激光应用方面大有前景。
引用
@article{arxiv.1602.01544,
title = {Effect of doping and In-composition on gain of long wavelength III-nitride QDs},
author = {Ahmed S. Jbara and H. I. Abood and Amin H. Al-Khursan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1602.01544},
year = {2016}
}
备注
10 pages, 9 figures and 2 tables