长波长III族氮化物量子点半导体光放大器中的四波混频
材料科学
2016-02-05 v1 光学
摘要
利用传播方程（包括非线性传播贡献）与量子点速率方程在饱和假设下耦合，对量子点半导体光放大器(QD SOAs)进行了四波混频分析。模拟了长波长III族氮化物InN和AlInN量子点半导体光放大器。给出了由于线宽增强因子导致的非对称行为。p型掺杂提高效率。获得了较长半径InAlN量子点的无损效率。载流子加热显示出显著效应，且在大多数情况下预期有失谐依赖性。InN量子点半导体光放大器显示出更高效率。
引用
@article{arxiv.1602.01546,
title = {Four-wave mixing in long wavelength III-nitride QD-SOAs},
author = {Amin H. Al-Khursan and Ahmed S. Jbara and H. I. Abood},
journal= {arXiv preprint arXiv:1602.01546},
year = {2016}
}
备注
8 pages, 9 figures and 4 tables