增强非交叉近似下单杂质安德森模型的动态磁化率
强关联电子
2010-01-19 v2
摘要
在增强非交叉近似(ENCA)框架下研究了单杂质安德森模型(SIAM)。该方法被推广到磁化率的计算并进行了全面测试，旨在为关联晶格系统中磁化率和相变计算中的构建块应用做准备。研究了广泛的模型参数，如杂质占据数、温度、局域库仑排斥和杂化强度。给出了自旋和电荷磁化率的结果。通过将静态量与精确的Bethe ansatz结果进行比较，表明ENCA对杂质磁激发的描述非常出色，即使在价态涨落较大或库仑排斥消失的情况下也是如此。在单占据离子组态为未扰基态的情况下，电荷磁化率的描述相当准确；然而，在不对称模型中，当温度过低时，它似乎高估了电荷涨落。动态自旋激发谱主要由通过导带对杂质自旋的Kondo屏蔽主导，即局域Kondo单态的形成。有限的局域库仑相互作用U通过涉及双占据杂质态的过程导致电荷响应的显著降低。在不对称模型中，由于价态涨落的影响，对于小于Kondo能标T_K的激发能量，电荷磁化率增强。
引用
@article{arxiv.0905.3314,
title = {Dynamic susceptibilities of the single impurity Anderson model within an enhanced non-crossing approximation},
author = {Sebastian Schmitt and Torben Jabben and Norbert Grewe},
journal= {arXiv preprint arXiv:0905.3314},
year = {2010}
}
备注
16 pages, 13 figures