扩展单杂质安德森模型的标度分析：价态涨落引起的重整化
强关联电子
2017-10-05 v1
摘要
本文采用微扰重整化方法，探讨了价态涨落在扩展安德森杂质模型（e-SIAM）中的作用，该模型中传导电子与杂质电子之间存在额外的哈伯德排斥。我们计算了模型参数的标度方程，并通过解析和数值方法求解，以揭示价态涨落如何重整化这些参数。标度方程的解析解给出了模型的标度不变量，我们发现这些不变量不同于安德森杂质模型，表明 e-SIAM 具有不同类型的标度轨迹。已知 SIAM 的强耦合物理由自旋涨落主导，因此我们分析了 e-SIAM 的强耦合区域如何被价态涨落重整化。对模型进行三阶微扰重整化使我们得以获得近藤标度。我们不仅证实了价态涨落会增强近藤标度，还计算了这一依赖关系的函数形式。将部分结果与数值重整化群计算进行基准比对，我们发现两者吻合极佳。应用 Schrieffer-Wolff 变换，我们发现该模型的强耦合区域由自旋-电荷近藤模型主导，这与安德森杂质模型不同。我们的结果表明，自旋近藤效应可以与价态涨落介导的电荷近藤效应共存。
引用
@article{arxiv.1710.01550,
title = {Scaling analysis of the extended single impurity Anderson model: Renormalization due to valence fluctuations},
author = {Rukhsan Ul Haq and N. S. Vidhyadhiraja},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.01550},
year = {2017}
}
备注
11 pages, 8 eps figures