掺杂诱导的非马尔可夫干涉导致单层 WSe$_2$ 中激子线宽展宽
介观与纳米尺度物理
2022-01-07 v1
摘要
在原子级薄半导体（如单层 WSe）中，强库仑相互作用不仅诱导出紧密结合的激子，还使其光学性质对掺杂非常敏感。利用基于激子海森堡运动方程的微观理论，我们系统地确定了掺杂对激子线宽、线移和振子强度的影响。我们计算了带电激子（trion）共振，并证明激子与带电激子连续谱的库仑耦合产生了非马尔可夫干涉，其由于时间延迟而建立起一个相位，该相位负责不对称的激子线形和增大的激子线宽。我们计算的激子和带电激子线宽、线移及振子强度的掺杂依赖性解释了近期的实验。所获得的见解提供了掺杂原子级薄半导体光学指纹的微观起源。
引用
@article{arxiv.2201.02161,
title = {Doping-induced non-Markovian interference causes excitonic linewidth broadening in monolayer WSe$_2$},
author = {Florian Katsch and Andreas Knorr},
journal= {arXiv preprint arXiv:2201.02161},
year = {2022}
}