单层过渡金属硫族化物中线宽掺杂依赖性的微观模型
介观与纳米尺度物理
2020-06-24 v1 材料科学
摘要
我们探索了低温低掺杂 regime 下单层过渡金属硫族化物吸收谱中依赖掺杂的激子和三子线宽的完全微观模型。该方法基于微扰论并避免使用唯象参数。在低掺杂 regime，我们发现三子线宽对掺杂水平相对不敏感，而激子线宽随掺杂单调增加。另一方面，我们认为三子线宽表现出稍强的温度依赖性。在低掺杂 regime，对于 K 的封装样品，线宽量级可能被声子散射掩盖。我们讨论了微扰论的失效，它应在相对低的掺杂水平和低温下发生。我们的工作也为理解各种相关散射过程铺平了道路，包括洁净二维样品中的碰撞电离和俄歇散射。
引用
@article{arxiv.2003.10932,
title = {Microscopic model of the doping dependence of line widths in monolayer transition metal dichalcogenides},
author = {Matthew R. Carbone and Matthew Z. Mayers and David R. Reichman},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.10932},
year = {2020}
}
备注
11 pages, 2 figures, submitted to JCP special issue on Two-Dimensional Materials