直接可视化原子薄半导体中动量禁戒暗激子及其动力学
材料科学
2020-12-09 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
解析激子的动量自由度——即在光激发半导体中由库仑吸引束缚的电子-空穴对——几十年来一直是一个很大程度上难以实现的目标。在原子薄半导体中，这种能力可以探测动量禁戒暗激子，它们对提出的光电技术有关键影响，但无法通过光学技术直接获取。在此，我们通过光发射构成激子的电子，并在时间、动量和能量上对其进行解析，来探测 WSe2 单层中层激子的动量态。我们获得了动量禁戒暗激子的直接图像，并研究了它们的性质，包括它们与亮激子的近简并性以及它们在能量-动量图景中的形成路径。这些暗激子主导了激发态分布——这一令人惊讶的发现凸显了它们在原子薄半导体中的重要性。
引用
@article{arxiv.2005.00241,
title = {Directly visualizing the momentum forbidden dark excitons and their dynamics in atomically thin semiconductors},
author = {Julien Madéo and Michael K. L. Man and Chakradhar Sahoo and Marshall Campbell and Vivek Pareek and E Laine Wong and Abdullah Al Mahboob and Nicholas S. Chan and Arka Karmakar and Bala Murali Krishna Mariserla and Xiaoqin Li and Tony F. Heinz and Ting Cao and Keshav M. Dani},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.00241},
year = {2020}
}
备注
34 pages