二维半导体中激子散射诱导的退相干
介观与纳米尺度物理
2020-06-25 v1
摘要
单层过渡金属硫族化合物中增强的库仑相互作用导致紧密结合的电子-空穴对（激子），它们主导其线性和非线性光学响应。后者包括漂白、能量重整化以及更高阶库仑关联效应如双激子和激发诱导退相干（EID）。尽管前三者已被广泛研究，迄今为止尚无针对激子主导半导体中 EID 的理论基础。在本研究中，我们基于激子 Heisenberg 运动方程给出微观计算，并确定光学泵浦激子与激子-激子散射连续谱的耦合是导致依赖于光功率的线宽展宽（EID）和边带形成的首要机制。通过执行时间、动量和能量分辨的模拟，我们定量评估了最常见单层过渡金属硫族化合物的 EID，并发现与近期实验极为吻合。
引用
@article{arxiv.2006.13783,
title = {Exciton-Scattering-Induced Dephasing in Two-Dimensional Semiconductors},
author = {Florian Katsch and Malte Selig and Andreas Knorr},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.13783},
year = {2020}
}