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低能 $\gamma^* N\rightarrow\pi N$ 过程的色散分析

核理论 2021-06-09 v2 高能物理 - 唯象学

摘要

我们利用基于幺正性与解析性的色散表示,研究 S11S_{11} 道中的低能 γNπN\gamma^* N\rightarrow \pi N 过程。πN\pi N 系统的最终态相互作用对此分析至关重要。分波振幅的左手部分由 O(p2)\mathcal{O}(p^2) 手征微扰论结果导入。在右手部分,最终态相互作用通过 SS 波的 Omnès 公式计算。发现仅用一个减除参数即可获得良好的数值拟合,并且在光子虚度 Q20.1GeV2Q^2 \leq 0.1 \mathrm{GeV}^2 时,对 Δ(1232)\Delta(1232) 以下能区中多极振幅 E0+, S0+E_{0+},\ S_{0+} 的电产生实验数据给出了很好描述。

关键词

引用

@article{arxiv.2101.12576,
  title  = {Dispersive analysis of low energy $\gamma^* N\rightarrow\pi N$ process},
  author = {Xiong-Hui Cao and Yao Ma and Han-Qing Zheng},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2101.12576},
  year   = {2021}
}

备注

30 pages, 11 figures, 3 tables; to match the published version