具有亚单位理想因子的狄拉克源二极管
介观与纳米尺度物理
2022-08-24 v1
摘要
功耗的增加需要低功耗电路技术以延续摩尔定律。低功耗晶体管，如隧穿场效应晶体管（TFET）、负电容场效应晶体管（NC-FET）和狄拉克源场效应晶体管（DS-FET），已实现以突破亚阈值摆幅（SS）的热离子极限。然而，突破室温下理想因子（n）为1的热离子极限的低功耗二极管整流器尚未被提出。在本研究中，我们利用石墨烯的线性态密度（DOSs）实现了具有陡斜率特性曲线的 DS 肖特基二极管。对于所研制的 DS 肖特基二极管，在超过两个数量级的漏极电流范围内 n<1，最小值为0.8，且整流比很大（100000）。DS 肖特基二极管的实现为低功耗电子电路的发展铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2112.00924,
title = {Dirac-Source Diode with Sub-unity Ideality Factor},
author = {Gyuho Myeong and Wongil Shin and Seungho Kim and Hongsik Lim and Boram Kim and Taehyeok Jin and Kyunghwan Sung and Jihoon Park and Michael S. Fuhrer and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Fei Liu and Sungjae Cho},
journal= {arXiv preprint arXiv:2112.00924},
year = {2022}
}
备注
28 pages, 14 figures, submitted to Nature Communications