单层与块体六方氮化硼电子性质的扩散量子蒙特卡洛与GW研究
材料科学
2020-05-20 v2
摘要
我们报道了单层与块体六方氮化硼（hBN）电子带隙的扩散量子蒙特卡洛（DMC）与多体 计算。我们发现单层带隙为间接带隙。 在单步 与部分自洽 层级均预测了小得多的准粒子带隙。相反，在 计算之上求解Bethe-Salpeter方程得到的 点直接激子束缚能与DMC值吻合良好。我们发现振动对电子带隙的重正化在单层与块体中均显著。考虑振动效应后，DMC高估了块体hBN的带隙，而 理论低估了它。
引用
@article{arxiv.2003.06608,
title = {Diffusion quantum Monte Carlo and GW study of the electronic properties of monolayer and bulk hexagonal boron nitride},
author = {R. J. Hunt and B. Monserrat and V. Zolyomi and N. D. Drummond},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.06608},
year = {2020}
}