通过分子和纳米器件的传输检测拓扑相变
强关联电子
2009-11-10 v1
摘要
我们通过考虑其在零偏置电导来分析与自由电子 Leads 弱耦合的相互作用电子系统的相变。该电导以两种有效杂质模型的形式表达，这两种模型分别适用于是否存在自旋退极的情况。我们使用半填态离子 Hubbard 环 demonstrate，外部磁通或偶数奇数势阱间栅压差作为函数的第一个电导峰权重，可用于识别相关绝缘体与带绝缘体之间的拓扑电荷相变。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0406355,
title = {Detection of topological transitions by transport through molecules and nanodevices},
author = {A. A. Aligia and K. Hallberg and B. Normand and A. P. Kampf},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0406355},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 5 figures, to appear in Phys. Rev. Lett