构建电荷与自旋的零偏压单向输运
介观与纳米尺度物理
2016-03-02 v1
摘要
我们探索了置于(弱耦合)二维拓扑绝缘体之上的金属的能带结构与输运性质。与广泛研究的拓扑非平庸材料间的结不同，此处研究的体系允许独特的能带结构与输运调控。首先，拓扑绝缘体层上的态可能与无隙体态共存；其次，一侧边缘上的边缘态可被选择性地关闭，从而在零偏压极限下也能实现近乎完美的电荷与自旋定向输运。我们以具有Haldane项或本征自旋轨道项以及垂直偏置电压的Bernal堆垛双层石墨烯为例阐释了这些现象。这为在范德瓦耳斯异质结构、单层和超薄拓扑绝缘体等材料中实现定向输运开辟了路径。
引用
@article{arxiv.1602.05519,
title = {Crafting zero-bias one-way transport of charge and spin},
author = {L. E. F. Foa Torres and V. Dal Lago and E. Suárez Morell},
journal= {arXiv preprint arXiv:1602.05519},
year = {2016}
}
备注
7 pages, 7 figures