腔嵌入半导体异质结构的暗垂直电导
量子物理
2019-10-15 v2 其他凝聚态物理
摘要
我们提出了一种线性响应非局域理论，描述嵌入单模电磁谐振腔中的半导体异质结构沿垂直（生长）方向的电子电导（无光照条件下）。我们的方法易于推广至具有抛物线色散的n掺杂半导体一般类别。该电导依赖于基态性质以及通过偶极规范下玻色子处理确定的虚集体极化激元激发。我们表明，取决于系统参数，腔真空效应可相对于裸异质结构显著增强或降低暗垂直电导。
引用
@article{arxiv.1903.11562,
title = {Dark vertical conductance of cavity-embedded semiconductor heterostructures},
author = {Cassia Naudet-Baulieu and Nicola Bartolo and Giuliano Orso and Cristiano Ciuti},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.11562},
year = {2019}
}
备注
10 pages, 6 figures