一维窄带隙半导体的光学导电率
强关联电子
2009-11-07 v1
摘要
研究了两种一维窄带隙半导体的光学导电率，即反横向量子霍尔边态和碳纳米管。采用 bosonization 方法进行研究。最低阶重整�群分析表明，在高频/高温下，裸带隙可作为扰动处理。在能量极低尺度下，光学导电率由激子贡献主导；而在高于交叉温度的温度下，热力学涨落消除了激子特征。在碳纳米管情况下，估计交叉温度尺度为 300 K。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0205334,
title = {Optical conductivity of one-dimensional narrow-gap semiconductors},
author = {Hyun C. Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0205334},
year = {2009}
}
备注
RevTeX4 file, 6 pages, no figure