单根碳纳米管中的激子与高阶光学跃迁
介观与纳米尺度物理
2010-01-27 v1
摘要
我们通过瑞利散射光谱研究了单壁碳纳米管中高能光学跃迁的激子性质。对单个半导体和金属纳米管主要跃迁的仔细分析表明，在两种情况下，线形都与激子模型一致，而非自由载流子模型。对于半导体种类，在第三和第四光学跃迁之上约200 meV处观测到边带。这些特征归因于激子-声子束缚态。在金属纳米管中未观察到此类边带，这与这些系统中激子相互作用强度降低的预期相符。
引用
@article{arxiv.1001.4546,
title = {Excitons and high-order optical transitions in individual carbon nanotubes},
author = {Stephane Berciaud and Christophe Voisin and Hugen Yan and Bhupesh Chandra and Robert Caldwell and Yuyao Shan and Louis E. Brus and James Hone and Tony F. Heinz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1001.4546},
year = {2010}
}