掺杂硅中金属-绝缘体转变的低温微波成像
介观与纳米尺度物理
2011-05-24 v2 材料科学
摘要
我们报告了低温扫描微波阻抗显微镜的仪器设计和实验结果。微波探针和扫描台位于氦低温恒温器的变温插件内。距离调制模式下的微波信号用于监测探针-样品距离并调整两个输出通道的相位。展示了空间分辨掺杂硅样品中金属-绝缘体转变的能力。数据与半定量有限元模拟结果一致。在不同温度和直流偏置下拍摄的图像中，可以观察到热能和电场对局部载流子的影响。
引用
@article{arxiv.1010.1509,
title = {Cryogenic Microwave Imaging of Metal-Insulator Transition in Doped Silicon},
author = {Worasom Kundhikanjana and Keji Lai and Michael A. Kelly and Zhi-Xun Shen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.1509},
year = {2011}
}
备注
10 pages, 5 Figures, Accepted to Review of Scientific Instrument