低温等离子体感应耦合 CVD 制备的硅氮化物和氨化硅的 cryogenic 微波性能
仪器与探测器
2024-09-17 v1 天体物理仪器与方法
摘要
低温制备介质是温度敏感探测器所必需的。对于超导探测器，如 TES 和 KID，AlMn 因其在不同烘烤温度下的可变超导临界温度而受到广泛研究。实验上仅最高烘烤温度决定 AlMn 超导临界温度，因此需要控制整个工艺中的晶圆温度。在一般情况下，介质制造过程的最高温度是最高的工艺温度。本文展示了在 75 ℃ 的低温下使用 ICPCVD 制备的 Si₃N₄、SiNₓ 和 α-Si 的 cryogenic 微波性能。研究了介电常数、内质量因子和 TLS 属性。使用 Al 平行板共振器进行研究。
引用
@article{arxiv.2409.09301,
title = {Cryogenic microwave performance of silicon nitride and amorphous silicon deposited using low-temperature ICPCVD},
author = {Jiamin Sun and Shibo Shu and Ye Chai and Lin Zhu and Lingmei Zhang and Yongping Li and Zhouhui Liu and Zhengwei Li and Yu Xu and Daikang Yan and Weijie Guo and Yiwen Wang and Congzhan Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2409.09301},
year = {2024}
}