界面限制晶体生长/消退中 BKT-粗糙到 KPZ-粗糙表面的交叉
统计力学
2020-06-02 v1 化学物理
摘要
为了处理理论结果与实验之间的分歧,我们在非平衡稳态下使用蒙特卡洛方法研究了邻晶表面上 Berezinskii--Kosterlitz--Thouless (BKT) 粗糙表面到 Kardar--Parisi--Zhang (KPZ) 粗糙表面的交叉。所用模型为无表面或体扩散(界面限制生长/消退)的带离散哈密顿量的受限固着在固模型(RSOS)。针对在 (001) 与 (111) 表面之间倾斜的邻晶表面,计算了表面宽度的温度、生长驱动力、系统尺寸与表面斜率依赖性。同时计算了表面速度、表面动力学系数以及局部合并台阶的平均高度。与公认的 (2+1) 表面理论相反,我们发现从 BKT(对数)粗糙表面到 KPZ(代数)粗糙表面的交叉点与 (001) 表面的动力学粗糙点不同。研究发现晶体生长驱动力是决定系统属于 BKT 类还是 KPZ 类的相关参数。还确定吸附原子、吸附空穴、岛与负岛会阻碍表面涨落,这有助于形成 BKT-粗糙表面。
引用
@article{arxiv.2006.00431,
title = {Crossover from BKT-Rough to KPZ-Rough Surfaces for Interface-Limited Crystal Growth/Recession},
author = {Noriko Akutsu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.00431},
year = {2020}
}
备注
11 pages,7 figures, research article, submitted to Scientific Reports