低维磁系统的临界行为

在本研究中，采用混合自旋 $3$-自旋 $3/2$ Ising 模型考察了以氰桥连 Tb(III)-Cr(III) 双金属组装体为代表的低维磁系统的临界行为。混合自旋 Ising 模型在一维周期边界条件晶格上利用元胞自动机冷却与加热算法进行模拟。Ising 模型哈密顿量仅包含反铁磁最近邻相互作用（$J>0$）。在零磁场（$h=\frac{H}{J}=0$）下，混合自旋系统表现得如同孤立一维链。在磁场存在时，磁化强度通过零场冷却（$ZFC$）与场冷（$FC$）过程计算。一维 Ising 模型结果与氰桥连 Tb(III)-Cr(III) 双金属准一维组装体 [Tb(H_{2}O)_{2}(DMF)_{4}{ Cr(CN)_{6}}].H_{2}O（DMF=二甲基甲酰胺）的结果相符。