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Mott 绝缘体中拓扑序的约束

强关联电子 2015-04-21 v2 量子物理

摘要

我们指出了 Mott 绝缘体(每个单胞具有奇数个自旋 12\tfrac{1}{2} 的量子磁体)中由对称性引起的对拓扑序的特定约束。例如,我们证明了双半子 (double semion) 拓扑序与 Mott 绝缘体中的时间反演和平移对称性不相容。这一结果 sharpen 了针对二维量子磁体的 Hastings-Oshikawa-Lieb-Schultz-Mattis 定理,该定理保证完全对称的有能隙 Mott 绝缘体必然具有拓扑序,但未指明允许何种拓扑序。我们结果的一个应用是 Kagome 晶格量子反铁磁体,近期关于纠缠熵的数值计算表明其基态与 toric code 或 double semion 拓扑序均兼容,而我们的结果排除了后一种可能性。

关键词

引用

@article{arxiv.1410.2894,
  title  = {Constraints on topological order in Mott Insulators},
  author = {Michael P. Zaletel and Ashvin Vishwanath},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1410.2894},
  year   = {2015}
}

备注

5 pages plus appendices