应用于磷施主的硅导带紧束缚描述
材料科学
2009-11-11 v2
摘要
我们提出了一个硅的紧束缚参数化方案，该方案经过优化以正确重现有效质量以及导带极小值在倒空间的位置。通过使用该参数化方案与先前报道的方案对Si中施主杂质的描述进行系统比较，评估了所提出参数化方案的可靠性。施主波函数的谱分解表明，纳入全带效应对于可靠表示的重要性，并且如有效质量理论中所提出的，不完整的实空间描述源于截断的倒空间展开。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0612240,
title = {Conduction band tight-binding description for silicon applied to phosphorous donors},
author = {A. S. Martins and Timothy B. Boykin and Gerhard Klimeck and Belita Koiller},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0612240},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures