硅中磷杂原子电子波函数:超越有效质量理论
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
我们通过对硅中磷杂原子电子波函数进行数值对角化,计算了该杂原子的电子波函数。该哈密顿量在费米子原子之间的散射长度 在 reciprocal 格子空间围绕导带局部极小点离散计算。这种技术超越了有效质量理论中固有的近似, can be modified to include altered donor impurity potentials, externally applied electro-static potentials, as well as the effects of lattice strain. 修改杂原子势能允许以良好一致再现已知的低能谱,并计算杂原子波函数,可用于计算对量子计算应用至关重要的参数。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0504126,
title = {Donor Electron Wave Functions for Phosphorus in Silicon: Beyond Effective Mass Theory},
author = {C. J. Wellard and L. C. L. Hollenberg},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0504126},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 5 figures