4H-SiC MOSFET两种二维载流子轮廓的扫描扩散电阻显微镜与扫描电容显微镜互补方法
应用物理
2024-07-23 v2 材料科学
摘要
本文报告了在2023年于意大利索里托举办的国际硅碳及相关材料会议（ICSCRM）期间所作邀请海报的研究结果。探讨了基于原子力显微镜（AFM）测量的扫描探针方法的适用性，以实现对4H-SiC功率MOSFET elementary cell（基本单元）进行高空间分辨率的调查。所得二维横截面图显示，利用SSRM的能力可实现约5 nm的高空间分辨率。此外，SCM的能力使我们能够可视化4H-SiC功率MOSFET基本单元不同部位载流子浓度波动。
引用
@article{arxiv.2407.13370,
title = {Complementary two dimensional carrier profiles of 4H-SiC MOSFETs by Scanning Spreading Resistance Microscopy and Scanning Capacitance Microscopy},
author = {Patrick Fiorenza and Marco Zignale and Edoardo. Zanetti and Mario S. Alessandrino and Beatrice Carbone and Alfio Guarnera and Mario Saggio and Filippo Giannazzo and Fabrizio Roccaforte},
journal= {arXiv preprint arXiv:2407.13370},
year = {2024}
}