van Hove 填充下 Kagome 晶格上的竞争电子序

van Hove 填充下 Kagome 晶格上 Hubbard 模型中的电子序是当前备受关注和争论的议题。我们利用奇异模功能重整化群理论研究这一问题。我们发现短程相互作用下存在丰富的电子不稳定性。随着在位排斥能 $U$ 的增加，系统依次发展出铁磁性、晶胞内反铁磁性和电荷键序。仅考虑最近邻库仑相互作用 $V$（$U=0$）时，对于较小的 $V$，系统发展出晶胞内电荷密度波序；对于中等的 $V$，出现 s 波超导电性；而对于更大的 $V$，电荷密度波序再次出现。当同时存在 $U$ 和 $V$ 时，我们在相图的某些特定区域还发现了自旋键序和手性 $d_{x^2 - y^2} + i d_{xy}$ 超导电性。我们发现 s 波超导电性源于电荷密度波涨落以及配对 susceptibilities 中的平方对数发散。另一方面，d 波超导电性则源于避免了矩阵元效应的键序涨落。由于 Kagome 晶格中的几何阻挫，其相图与蜂窝状晶格的相图截然不同。