低掺杂强耦合自旋-费米子系统中非交叉微扰方法与广义投影方法的比较

我们分析了与欠掺杂铜氧化物相关的强耦合区域中的二维自旋-费米子模型。我们回顾了将谱密度矩和费米子自能虚部与静态关联函数联系起来的一组一般求和规则。我们证明了投影方法的两极点近似满足谱密度前四个矩的求和规则，并给出了带底附近准粒子能量的精确上界。我们证明了在模型的微扰处理中经常使用的非交叉近似违反了谱密度第三矩的求和规则。这导致最低准粒子带位置错误。另一方面，由于对动能项的近似处理，投影方法在弱耦合极限下不适用。我们提出了一种投影方法的推广，克服了这一缺陷，并给出了在弱耦合和强耦合极限下都正确行为的费米子自能。