绝缘体与半导体薄膜岛化模型的比较
材料科学
2008-01-24 v1 其他凝聚态物理
摘要
自组织量子点 (QD's) 的合成可通过自下而上的逐层沉积工艺实现，如化学气相沉积 (CVD) 或物理气相沉积 (PVD)。然而，量子点也可通过溶胶 - 凝胶路线合成，该路线涉及从薄膜到离散量子点的自发演化，无需进一步沉积。本文旨在讨论和比较 PVD-CVD 与溶胶 - 凝胶合成方法中引发量子点形成的物理现象，这些现象始于薄膜表面粗糙化。我们提出了两个简单的物理模型，用以解释这些方法之间的根本差异。
引用
@article{arxiv.0801.3619,
title = {Comparison between models of insulator and semiconductor thin films islanding},
author = {F. Lallet and A. Dauger and N. Olivi-Tran},
journal= {arXiv preprint arXiv:0801.3619},
year = {2008}
}
备注
5 pages, 2 figures, published in physica status solidi (c)