基于纳机电系统谐振栅极的横向金属-氧化物-半导体场效应晶体管的紧凑显式物理模型
材料科学
2015-05-14 v1
摘要
我们提出了一个基于耦合机电方程的金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）与横向谐振栅极的简单解析模型，该方程在时间上自洽求解。评估了所有根据机械振荡的电荷密度。唯一的输入参数是器件的物理特性。没有使用额外的数学参数来拟合实验结果。理论结果在静态和动态操作中与实验数据吻合良好。我们的模型是全面的，可能适用于任何基于场效应换能的机电设备。
引用
@article{arxiv.1001.2148,
title = {Compact and explicit physical model for lateral metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with nanoelectromechanical system based resonant gate},
author = {Laurent Duraffourg and Eric Colinet and Sebastien Hentz and Eric Ollier and Philippe Andreucci and Bruno Reig and Philippe Robert},
journal= {arXiv preprint arXiv:1001.2148},
year = {2015}
}