共沉积的氟菲林钙钛矿钡三碘化物中抑制 p 型自掺杂
材料科学
2025-10-08 v1 化学物理
摘要
共沉积氟菲林钙钛矿钡三碘化物 (FASnI3) 前体而不添加任何添加剂或还原剂，可生长出高度晶体性薄膜，薄膜带隙约为 1.31 eV， closely 匹配理论上预测的理想单晶结构 FASnI3 的值。该多晶体薄膜表现出较低的 Sn2+ 向 Sn4+ 氧化倾向和高度降低的自掺杂倾向，总体上表现出对缺陷形成的 improved 抗性。这些发现表明，溶剂自由共沉积工艺是制备高品质钡基钙钛矿多晶体薄膜的有前景的途径。
关键词
引用
@article{arxiv.2510.05564,
title = {Co-evaporated Formamidinium tin triiodide with suppressed p-type self-doping},
author = {Junhyoung Park and Andrea Olivati and Mirko Prato and Min Kim and Annamaria Petrozza},
journal= {arXiv preprint arXiv:2510.05564},
year = {2025}
}
备注
14 Pages, 6 figures