无溶剂单源室温沉积黑色 γ-CsSnI3 薄膜
应用物理
2020-06-02 v1 材料科学
摘要
在 CsSnI3 中，室温下非光学活性多晶型物（黄相）与光学活性多晶型物（黑色 γ 相）的竞争以及 Sn 易氧化，是 CsSnI3 在光电器件中应用所面临的两大障碍。本文报道了光滑黑色 γ-CsSnI3 薄膜的室温真空单源沉积。这是通过将 CsI 和 SnI2 粉末完全无溶剂混合并经等静压压制制成固体靶材实现的。通过在室温下对固体靶材进行受控激光烧蚀并沉积于任意基底上，证明了具有最佳光学性能的 CsSnI3 薄膜的形成。该薄膜呈现 1.32 eV 的带隙、尖锐的吸收边以及近红外光致发光发射。这些性质以及薄膜的 X 射线衍射证实了正交晶系（B-γ）钙钛矿相的形成。通过原位施加 Al2O3 覆盖层确保了该相的热稳定性。本工作展示了脉冲激光沉积作为卤化物钙钛矿的挥发性不敏感单源生长技术的潜力，并代表了无机无铅卤化物钙钛矿的开发与未来可扩展性方面关键的一步。
引用
@article{arxiv.2006.00054,
title = {Single-source, solvent-free, room temperature deposition of black $\gamma$-CsSnI$_3$ films},
author = {Vivien M. Kiyek and Yorick A. Birkhölzer and Yury Smirnov and Martin Ledinsky and Zdenek Remes and Jamo Momand and Bart J. Kooi and Gertjan Koster and Guus Rijnders and Monica Morales-Masis},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.00054},
year = {2020}
}
备注
Accepted by Advanced Materials Interfaces, 16 pages, 4 figures, and supplement