通过掺杂Ca增强Epitaxial h-Lu1-xCaxMnO3薄膜的铁电结构畸变
材料科学
2024-08-07 v1
摘要
与proper铁电性不同，稀土锂镝矮掺杂物h-ReMnO3薄膜（Re=La-Lu,Y,Sc）具有独特的几何畸变，且在极薄极限下免于去极化场。本文通过掺杂Ca来调节和增强h-LuMnO3薄膜的铁电几何畸变。通过h-ScFeO3缓冲层，将压缩应变的h-Lu1-xCaxMnO3(x=0.1,0.2,0.3,0.4,0.5)薄膜稳定生长在 Sapphire衬底上。当掺杂浓度x≥0.2时，常见的基片诱导的界面夹持效应抑制h-ReMnO3的不proper铁电性即可被消除。该工作建立了一个潜在的准二维铁电体系，并建议一种通用的应变工程方法来增强六方形锂镝矮掺杂物的不proper铁电性。
引用
@article{arxiv.2408.03044,
title = {Enhance Ferroelectric Structural Distortion via Doping Ca in Epitaxial h-Lu1-xCaxMnO3 Thin Films},
author = {Detian Yang and Yaohua Liu and Xiaoshan Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2408.03044},
year = {2024}
}
备注
Main text 10 pages,8 figures; supplemental materials 5 pages, 3 figures