异质结构中非常规铁电 h-YMnO$_3$ 薄膜的外延集成
材料科学
2020-12-18 v1
摘要
我们报道了通过脉冲激光沉积(PLD)在生长非常规铁电六方 YMnO(YMO)薄膜及异质结构方面取得的多个根本性定性改进。通过预生长衬底退火与低能量通量 PLD 相结合,我们在钇稳定氧化锆(YSZ)上获得了 YMO 薄膜的二维生长模式,其粗糙度极低且不含取向错误的纳米晶夹杂物。通过在衬底与最终薄膜之间插入一层以导电氧化铟锡封顶的牺牲锰氧化物层,后者以完全晶格弛豫模式生长,从而在不产生任何失配位错的同时保持了直接在预退火 YSZ 上生长薄膜的极高平整度。这为基于六方锰氧化物的异质结构制造提供了一类具有室温非常规铁电性的前景广阔的多铁性材料模板,并将其实现于具有技术相关性的外延金属|铁电型多层结构中。
引用
@article{arxiv.2011.02447,
title = {Epitaxial integration of improper ferroelectric h-YMnO$_3$ thin films in heterostructures},
author = {J. Nordlander and M. D. Rossell and M. Campanini and M. Fiebig and M. Trassin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.02447},
year = {2020}
}
备注
13 pages, 5 figures