基于 Nambu 3-代数几何的手性拓扑绝缘体
强关联电子
2019-09-09 v3 高能物理 - 理论
量子物理
摘要
基于 Nambu 3-代数几何构建了具有朗道能级的手性拓扑绝缘体(AIII 类)。我们在 4D 量子霍尔效应的非对易几何背景下,阐明了 AIII 类拓扑绝缘体手性对称性的几何起源。多体基态波函数被显式推导为具有独特 -矩阵结构的 型 Laughlin-Halperin 波函数。基本激发被识别为带有分数电荷 的任意子弦状物体。手性拓扑绝缘体的霍尔效应表现为霍尔效应的一种颜色版本,展现出霍尔效应与自旋霍尔效应的对偶性质。
引用
@article{arxiv.1403.7816,
title = {Chiral Topological Insulator on Nambu 3-Algebraic Geometry},
author = {Kazuki Hasebe},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.7816},
year = {2019}
}
备注
6 pages, 1 figure, published version