Bi1-xSbx 中可能手性边缘模式的观测
强关联电子
2018-08-15 v2
摘要
在非相互作用电子系统的物质拓扑态分类得到阐明之后，无能隙边界模式与非平庸体拓扑结构之间的理论联系，以及它们随维度的演化，如今已得到充分理解。然而，尽管已有一些间接证据的报道，例如通过量子霍尔效应实现的半量子化霍尔电导以及量子振荡测量中的外推，但这种维度层级关系在实验上尚未得到很好的确立。本文报道了在磁场下从拓扑绝缘体表面态出现的可能手性边缘模式，证实了三维拓扑绝缘体中的维度层级关系。对 Bi1-xSbx 表面态施加激光脉冲，我们发现仅当对拓扑绝缘相施加磁场时，一侧边缘的电压弛豫符号才会变得与另一侧相反。基于耦合的含时泊松方程和玻尔兹曼方程，我们证明了这种符号差异源于边缘态的手性。
引用
@article{arxiv.1803.08233,
title = {Observation of the possible chiral edge mode in Bi1-xSbx},
author = {M. Sasaki and A. Ohnishi and Nabyendu Das and K. -S. Kim and Heon-Jung Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.08233},
year = {2018}
}
备注
17 pages, 6 figures