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电荷-自旋互纠缠:单空穴掺杂 $t$-$J$ 环严格对角化的案例研究

强关联电子 2018-10-22 v1

摘要

掺杂莫特绝缘体因其奇异的符号结构而表现出独特的性质。作为案例研究,我们通过严格对角化方法,考察了掺杂一个空穴的有限尺寸海森堡环的基态与激发态。我们发现,沿比值 J/tJ/tJJtt 分别表示超交换耦合和跃迁积分)的轴向上,出现一系列量子临界点(QCPs),这些临界点通过不同的总动量将不同区域分隔开来。每个 QCP 都涉及一个晶体动量跃变,并伴随最低能级的交叉或合并。然而,与守恒的总动量形成对比的是,我们还发现单个电子的动量分布很宽,这表明电荷非相干性/平移对称性破缺,违反了一一对应关系。这种电荷非相干性进一步与单空穴基态中 Sz=±1/2S^z=\pm 1/2S2=3/4{\bf S}^2=3/4 的量子涨落或横向部分相关。相比之下,通过关闭相位弦符号结构,我们证明基态的总动量在整个 J/tJ/t 范围内都降为零,不再有 QCP 或非相干性。我们引入了所谓的电荷-自旋互纠缠来表征这些新颖性质,纠缠谱提供了关于电荷非相干性的额外信息,从而捕捉了由多体量子干涉导致的强关联本质。

关键词

引用

@article{arxiv.1703.04255,
  title  = {Charge-spin mutual entanglement: A case study by exact diagonalization of the one hole doped $t$-$J$ loop},
  author = {Wayne Zheng and Zheng-Yu Weng},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1703.04255},
  year   = {2018}
}

备注

11 pages, 10 figures