Si(100) 金属-氧化物-半导体晶体管中自旋共振条件下的电荷泵浦
应用物理
2020-08-28 v1
摘要
栅脉冲诱导的复合（称为电荷泵浦，CP）是一种基本的载流子复合过程，并已被用作分析晶体管界面处缺陷（或悬键）电学性质的方法，如今已被认为相当成熟且常规。然而，对于 Si 金属-氧化物-半导体（MOS）界面，导致 CP 的缺陷起源（键合构型）及其详细的复合序列迄今尚未阐明。为解决这些问题，我们在 27 至 300 K 温度范围内，于 Si(100) n 型 MOS 晶体管中研究了自旋共振条件下的 CP。我们获得证据表明，Si(100) 界面（及附近）的两种主要悬键 Pb0 和 E' 中心参与了 CP 复合过程。我们还表明，自旋依赖的 CP 过程可通过电子-电子自旋对的形成来解释，这反过来揭示了经由 Pb0 和 E' 中心的 CP 本质上是一个双电子过程。
引用
@article{arxiv.2008.11857,
title = {Charge pumping under spin resonance in Si(100) metal-oxide-semiconductor transistors},
author = {Masahiro Hori and Yukinori Ono},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.11857},
year = {2020}
}
备注
10 figures