介观导体中的电荷密度与电荷噪声
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1
摘要
我们引入了电荷密度的层次结构来表征介观导体中的电荷分布。在该层次结构的最底层是部分电荷密度，它们代表了如果同时规定入射和出射散射通道时，对局部电荷密度的贡献。部分电荷密度在多探针导体上进行扫描隧道显微镜测量时发挥关键作用。在电流通过的环境下，部分电荷密度决定了由微弱耦合电压探针产生的去相位程度。此外，部分电荷密度决定了在样本接触处施加缓慢振荡电压时介观导体的频率依赖响应。部分电荷密度允许形式化一个可以局部应用的弗里德尔和求和规则。我们引入了部分电荷密度矩阵的非对角元，以描述电荷消散过程。这种推广导致了局部的韦伊-史密斯生命矩阵。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0112330,
title = {Charge densities and charge noise in mesoscopic conductors},
author = {Markus Buttiker},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0112330},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 2 figures