超薄及二维化学掺杂TFET的沟道厚度优化
计算物理
2018-10-17 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
基于二维材料的隧穿场效应晶体管（TFET）是低功耗电子应用最有希望的候选者之一，因为它们提供终极栅极控制，并可通过器件工作期间的小隧穿距离实现高驱动电流。理想器件的特征在于最小化的隧穿距离。然而，具有尽可能薄体区的器件不一定提供最佳性能。例如，减小沟道厚度会增加源区中的耗尽宽度，而这可能占总隧穿距离的显著部分。因此，针对每种沟道材料单独确定最优沟道厚度十分重要。本工作中，我们使用全带自洽量子输运模拟研究了三种沟道材料：WSe、黑磷（BP）和InAs的最优沟道厚度。为确定每种材料在特定掺杂密度下的理想沟道厚度，提出了一种新的解析模型，并与数值模拟进行了基准比对。
引用
@article{arxiv.1804.11034,
title = {Channel thickness optimization for ultra thin and 2D chemically doped TFETs},
author = {Chin-Yi Chen and Tarek A. Ameen and Hesameddin Ilatikhameneh and Rajib Rahman and Gerhard Klimeck and Joerg Appenzeller},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.11034},
year = {2018}
}