具有可变极性的宽带波长选择型同质异型异质结n+-ZnO/n-Si光电探测器
材料科学
2022-02-11 v1 应用物理
摘要
研制了一种同质异型异质结n+-ZnO/n-Si光电探测器，根据所施加的偏置电压，该探测器可展示波长选择性或宽带工作模式。此外，在自供电（零偏压）工作模式下，它通过光电流的极性控制来区分紫外、可见和近红外（NIR）光子。该光电探测器通过原子层沉积（ALD）技术在n-Si上沉积ZnO，随后进行电接触沉积和退火制成。光致发光测量揭示了退火后硅上ZnO具有高光学质量和改善的结晶度。作为光照波长和偏置电压函数的光电流测量显示，在零偏压和正偏压下，紫外-可见光谱范围内为小的负值，而在近红外光谱范围内为高的正值。在这些测量中，我们将与ZnO的电接触视为阳极，将与硅的电接触视为阴极。在负偏压下，该器件展示出宽带工作模式，在整个紫外-可见-近红外范围内具有高光电流值。
引用
@article{arxiv.2202.04734,
title = {Broadband wavelength-selective isotype heterojunction n+-ZnO/n-Si photodetector with variable polarity},
author = {Georgios Chatzigiannakis and Angelina Jaros and Renaud Leturcq and Jorgen Jungclaus and Tobias Voss and Spiros Gardelis and Maria Kandyla},
journal= {arXiv preprint arXiv:2202.04734},
year = {2022}
}
备注
arXiv admin note: text overlap with arXiv:2010.01586