溶液法制备 CMOS 兼容碳纳米点异质结用于增强型紫外探测器
仪器与探测器
2018-07-31 v1 光学
摘要
碳纳米结构技术最近已成为包括深紫外探测器和光源在内的下一代光电子器件的关键赋能技术，在健康与环境监测方面具有前景。在此，我们报道了溶液法制备的碳纳米点（CNDs）/n-Si 异质结，其显示出宽带光谱响应，在紫外（约 300 nm）波长处峰值响应度约 1.25 A/W。通过简便合成路线合成的 CNDs 的表面形貌与化学信息已被表征，显示出导致宽光学发射的表面化学态的存在。CNDs/n-Si 光电二极管表现出极低的暗电流（约 500 pA）、优异的整流比（约 5*10^3）以及紫外区域非常好的光调制。鉴于该器件的溶液加工能力和 CNDs 的优异光学性质，CNDs 的使用将为未来高性能、低成本的 DUV 光电探测器开辟独特机遇。
引用
@article{arxiv.1807.10825,
title = {Solution Processed CMOS compatible Carbon Nano-dots Based Heterojunction for Enhanced UV Detector},
author = {Rishi Maiti and Subhrajit Mukherjee and Tamal Dey and Samit K Ray},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.10825},
year = {2018}
}
备注
10 pages, 3 figures