具有可控品质因子和光敏度的 ZnO 紫外光电探测器
介观与纳米尺度物理
2013-02-06 v1
摘要
ZnO 纳米线作为紫外 (UV) 光电探测器具有巨大的应用潜力。其光电流产生机制与表面态的存在密切相关，为此人们付出了巨大努力（如表面化学修饰）以提高其光电探测能力。在本工作中，我们在此方向上更进一步，证明了光电探测器的光敏度和品质因子 (Q factor) 完全可通过施加的栅极电压进行调节。该机制使得紫外光电探测的选择性范围从数十纳米的波长（半高全宽 - FWHM）直至窄至 3 nm 的探测。这种控制为 novel 应用铺平了道路，特别是与具有非常尖锐发光特性的元素探测相关的应用。
引用
@article{arxiv.1302.0967,
title = {ZnO UV photodetector with controllable quality factor and photosensitivity},
author = {Leonardo C. Campos and Marcos H. D. Guimaraes and Alem-Mar B. Goncalves and Sergio de Oliveira and Rodrigo G. Lacerda},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.0967},
year = {2013}
}
备注
12 pages, 3 figures. Published in: http://aipadvances.aip.org/resource/1/aaidbi/v3/i2/p022104_s1