基于混合维度 TiS3/Si p-n 结的偏振敏感宽带光电探测
应用物理
2020-09-23 v2 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
探测光的偏振态的能力在许多日常应用和科学学科中至关重要。TiS3 等新型各向异性二维材料将面内光学各向异性带来的偏振敏感性与优异的电学性质相结合。在此，我们展示了一种基于混合维度 TiS3/Si p-n 结的单片偏振敏感宽带光电探测器的制备。所制备的器件显示出高达 1050 nm 的宽带响应度、对线偏振光照的强敏感性（两个正交偏振态之间的差异高达 350%）、良好的探测率以及快速的响应时间。所讨论的器件可用作构建更复杂偏振敏感系统（如偏振计）的基本单元。
引用
@article{arxiv.1903.11705,
title = {Polarization-sensitive and broadband photodetection based on a mixed-dimensionality TiS3/Si p-n junction},
author = {Yue Niu and Riccardo Frisenda and Eduardo Flores and Jose R. Ares and Weicheng Jiao and David Perez de Lara and Carlos Sanchez and Rongguo Wang and Isabel J. Ferrer and Andres Castellanos-Gomez},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.11705},
year = {2020}
}
备注
6 main text figures, 1 figure. Includes the supporting information (18 supp. info. figures)