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电荷守恒一维超导体中的边界诱导拓扑与带隙中间态

超导电性 2021-11-10 v1 强关联电子

摘要

我们研究了在边界场存在下的一维电荷守恒、自旋单重态(SSS)和自旋三重态(STS)超导体。在开放边界条件(OBC)系统中,已证明STS展现四重拓扑简并,由反转所有费米子自旋的Z2\mathbb{Z}_2对称性保护,而SSS拓扑平庸。本工作中我们表明,不仅体超导不稳定性类型决定相最终的拓扑性质,而是体与边界性质的相互作用。特别地,我们通过Bethe Ansatz技术表明,只要施加合适的“扭曲”开放边界条件OBC^{\widehat{OBC}},SSS同样可处于Z2\mathbb{Z}_2保护的拓扑相。更一般地,我们发现依据边界场的不同,给定超导体(SSS或STS)可展现若干类型相,如拓扑相、带隙中间相和平庸相;每类相由我们确定的边界不动点刻画。特别令人感兴趣的是稳定在拓扑不动点附近的带隙中间相。它们既包括自旋-14\frac{1}{4}束缚态局域于系统两边缘的分化相,也包括自旋-12\frac{1}{2}束缚态局域于左或右边缘的未分化相。

关键词

引用

@article{arxiv.2103.02539,
  title  = {Boundary-Induced Topological and Mid-Gap States in Charge Conserving One-Dimensional Superconductors},
  author = {Parameshwar R. Pasnoori and Natan Andrei and Patrick Azaria},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2103.02539},
  year   = {2021}
}

备注

20 pages, 4 figures