纳米金刚石与薄层石墨烯堆叠中注入 Xe、Kr 和 Ar 的行为：实验与建模
介观与纳米尺度物理
2021-10-07 v1
摘要
本文采用计算方法并结合 X 射线吸收光谱实验，研究了重惰性气体（Ar、Kr、Xe）在少层石墨烯片和纳米金刚石中的注入及其后续行为。X 射线吸收光谱为 Xe-空位（Xe-V）缺陷作为纳米金刚石中 Xe 的主要位点提供了有力支持。研究表明，薄层石墨烯堆叠中的惰性气体会使层发生畸变，形成鼓包。位于平坦石墨烯片之间的离子能量明显低于高曲率区域中的离子。然而，若离子被困在弯曲区域，则需要相当大的额外能量才能使其移位。
引用
@article{arxiv.2109.01873,
title = {Behavior of implanted Xe, Kr and Ar in nanodiamond and thin graphene stacks: experiment and modeling},
author = {Andrey A. Shiryaev and Alexander L. Trigub and Ekaterina N. Voronina and Kristina O. Kvashnina and Valentin L. Bukhovets},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.01873},
year = {2021}
}
备注
Accepted to Physical Chemistry Chemical Physics