拓扑绝缘体单个表面上的弹道几何电阻共振
介观与纳米尺度物理
2018-02-07 v1
摘要
过去十年中，拓扑物质中的输运展现了各种新现象。尽管已对三维拓扑绝缘体（3D-TIs）进行了大量输运研究，但由于主流TI材料的载流子迁移率较低，对其弹道运动以及因此在百纳米尺度上探索势景观的研究几乎不可能。因此，尚不清楚束缚在拓扑不同材料界面处的TI中的螺旋狄拉克电子能否通过局域栅极或局域刻蚀区域在纳米尺度上被操控。在此，我们将亚微米周期势施加于高迁移率应变碲化汞（HgTe）——一种强拓扑绝缘体——的狄拉克电子单个表面上。显著的几何电阻共振构成了3D-TIs中弹道效应的首次观测。
引用
@article{arxiv.1708.07766,
title = {Ballistic geometric resistance resonances in a single surface of a topological insulator},
author = {Hubert Maier and Johannes Ziegler and Ralf Fischer and Dmitriy Kozlov and Ze Don Kvon and Nikolay Mikhailov and Sergey A. Dvoretsky and Dieter Weiss},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.07766},
year = {2018}
}