高分辨率 Ce 3d 边共挨光子发射中的 Auger 效应
强关联电子
2009-11-10 v1
摘要
我们利用在 Ce 3d 边的共挨光子发射技术获得了包括 CeFe、CeNi 和 CeSi 在内的 various Ce 化合物中 Ce 4f 谱权。我们发现随着入射光子能量的微小变化，谱线形状会发生显著变化。详细分析表明，这一现象主要源于 Ce （下划线表示空穴）电子构型在共挨过程中中间态中不同多重态之间的 Auger 跃迁。我们指出，在从 Ce 3 边共挨光子发射谱中提取 Ce 4f 谱权时，必须谨慎选择共挨光子能量。与 Ce 构型最低多重态结构对应的吸收能量似乎是合理的选择。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0301211,
title = {Auger Effect in the High-Resolution Ce 3d-edge Resonant Photoemission},
author = {E. -J. Cho and R. -J. Jung and B. -H. Choi and S. -J. Oh and T. Iwasaki and A. Sekiyama and S. Imada and S. Suga and T. Muro and J. -G. Park and Y. S. Kwon},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0301211},
year = {2009}
}
备注
13 pages, 5 figures, submitted to Phys. Rev. B