原子间电子衰变过程对氟化氙中 Xe 4d 空穴衰变的影响
化学物理
2008-02-23 v2 原子与分子团簇
摘要
原子氙的 4d 轨道空穴在 3 fs 寿命后通过俄歇衰变弛豫。加入电负性氟配体形成氟化氙分子，导致 Xe 的价电子密度被抽离。因此，在俄歇衰变的单中心图像内，预期 Xe 4d 俄歇宽度会降低，但这与实验矛盾。借助多体 Green 函数框架内广泛的 ab initio 计算，我们确定了 XeFn 中所有可用衰变通道，并通过双空穴布居分析表征这些通道。我们推导了双空穴布居数与部分俄歇宽度间的关系。在此基础上，原子间电子衰变过程在氟化氙中被证明极强，足以超额补偿原子内俄歇宽度的减小并导致实验观测到的趋势。讨论了相关过程的性质。这些过程大概是多种系统中俄歇衰变的基础。
引用
@article{arxiv.physics/0303100,
title = {Impact of Interatomic Electronic Decay Processes on Xe 4d Hole Decay in the Xenon Fluorides},
author = {Christian Buth and Robin Santra and Lorenz S. Cederbaum},
journal= {arXiv preprint arXiv:physics/0303100},
year = {2008}
}
备注
11 pages, 5 figures, 3 tables, RevTeX4, extensively revised, the discussion of single ionization of XeFn was published separately: J. Chem. Phys. 119, 7763--7771 (2003), preprint arXiv: physics/0306123